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성균관대학교 반도체융합공학과

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반도체 설계, 소자, 공정을 아우르는 융합형 반도체 인재 양성 목표

20세기 초 양자역학에서 태동, 20세기 말 전자공학 혁명을 통해 꽃을 피워온 반도체 학문은, 이제 21세기 인류 문명의 기하급수적 발전을 가능케 하는 중심에 있습니다. 학계에 ‘나노’라는 개념이 확산되기 시작한 것이 불과 2000년대의 일입니다.

수 나노미터의 선폭으로 제작된 반도체 칩이 오늘날 스마트폰으로, 컴퓨터로 우리 일상에 늘 닿아있으리라고 누구도 상상하지 못했을 것입니다. 더 적은 에너지로, 더 빠르고, 더 작게 반도체 칩을 구현하려는 인류의 ‘무한한’ 도전은 오늘도 지속되고 있으며, 더욱 방대한 학문 및 산업 기반의 융합을 절실히 요구하고 있습니다.

성균관대학교 반도체융합공학과는 차세대 반도체의 학문적/산업적 솔루션을 개척해갈 수 있는 융합형 우수 인재 양성을 목표로 2023년 설립되었으며 2024학년도에 입학할 첫 신입생들을 기다리고 있습니다.

복합적인 공학적 난제가 주어진 상황에서 융합적 사고를 바탕으로 핵심을 파악하고 통찰력을 가지고 해결해갈 수 있는 인재를 양성하고자 하며, 반도체 전 분야의 지식이 네트워크로 연결될 수 있도록 교육하고자 합니다.

구체적으로, 반도체 소자와 공정을 정확히 이해하고 회로를 설계할 수 있는 융합형 인재, 인공지능, 소프트웨어, 반도체소자를 모두 아우를 수 있는 인공지능반도체 융합 인재, 반도체 칩의 구동과 설계를 이해하는 부품/장비/패키징 분야 융합 인재 등의 양성에 초점을 두고 있습니다.

반도체 설계, S/W, AI, 회로, 소자, 공정, 소재, 부품, 장비 등 반도체 전 분야를 한 곳에 모아 집중적인 교육을 진행함으로서 예전에 없던 반도체 교육 수요(unmet educational need)에 적극 대응하고자 하며, 이를 통해 국내외 학계와 글로벌 Top-Tier 기업으로 진출하고 창업하며 미래 반도체를 이끌어 갈 수 있는 인재를 키워가기 위해 최선을 다하겠습니다.

정보통신대학 부학장박 형 원